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延绵源走相关成果以题为HighlyefficientandstableInP/ZnSe/ZnSquantumdotlight-emittingdiodes发表在了Nature。为了保持较高的发光效率,贯西国建设计的壳厚度可抑制能量转移和俄歇复合,并且初始表面配体被较短的配体取代,以实现更好的电荷注入。
东大清InP基的QD-LEDs较差的性能归因于InPQDs的深间隙态缺陷和氧化缺陷。很少有研究更环保的InP基QD-LEDs,成世由于目前很难合成高质量的材料,成世通过前驱体纯化制备的InP/ZnSe/ZnSQDs已经被证明具有93%的高量子产率,而相应的QD-LED的EQE为12.2%。【成果简介】今日,界最洁在韩国三星先进技术研究院EunjooJang团队(通讯作者)带领下,界最洁与韩国延世大学合作,介绍了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法,其量子产率约为100%
【成果简介】今日,绿电廊综在韩国三星先进技术研究院EunjooJang团队(通讯作者)带领下,绿电廊综与韩国延世大学合作,介绍了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法,其量子产率约为100%。【图文导读】图1 不同形貌和壳厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点图2InP基的QD-LED的性能图3QD-1、延绵源走QD-2和QD-3R的光学特性图4配体交换QD的QD-LED文献链接:延绵源走HighlyefficientandstableInP/ZnSe/ZnSquantumdotlight-emittingdiodes(Nature,2019,DOI:10.1038/s41586-019-1771-5)本文由木文韬翻译,材料牛整理编辑。
贯西国建这些已准备好的InP基QD-LED将很快在商业显示器中使用。
经过优化的InP/ZnSe/ZnSQD-LED理论最大的外部量子效率为21.4%,东大清最大亮度为100,000cd/m2,东大清在100cd/m2的条件下使用寿命长达一百万小时,可与最先进的含镉QD-LED相媲美。作为国内智能盒子高端市场第一品牌,成世当贝在300元价格段以上中高端市场排名第一,占据超三成份额。
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